眾所周知，我國高端芯片一度飽受卡脖子之苦，而伴隨芯片領(lǐng)域“奧林匹克”大會(huì )ISSCC的最新成績(jì)單公布，我國在芯片科研領(lǐng)域著(zhù)實(shí)揚眉吐氣了一把：ISSCC 2023，中國憑總收錄論文排名第一的好成績(jì)，強勢超越美國，也更讓我們期待，在舉國大力發(fā)展集成電路的當下，世界半導體格局改寫(xiě)的拐點(diǎn)，是否會(huì )提前到來(lái)？

ISSCC 2023最大贏(yíng)家誕生！

萬(wàn)眾期待的ISSCC 2023將于2023年2月19日在舊金山招開(kāi)，但近日， ISSCC召開(kāi)的線(xiàn)上發(fā)布會(huì )提前公布了2023年ISSCC獲選論文情況，中國總收錄量排名第一，美國排名第二，從收錄絕對值上看，中國是美國的2倍之多。

ISSCC全稱(chēng)IEEE International Solid-State Circuits Conference，也即IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議，它是工程師和研究人員展示固態(tài)電躍和系統級芯片（SoC）最新研究成果的全球性學(xué)術(shù)交流論壇，最早舉辦于1953年，幾十年來(lái)一直以“芯片奧林匹克”的稱(chēng)號享譽(yù)世界，是世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認的集成電路設計領(lǐng)域最高級別會(huì )議，代表著(zhù)芯片領(lǐng)域國際最高學(xué)術(shù)水平，含金量之高，絕無(wú)僅有！

在ISSCC 60多年的歷史中，無(wú)數個(gè)集成電路史上里程牌式的發(fā)明都是在它上面首次披露：

1962年，世界第一個(gè)TTL電路誕生；

1968年，世界首個(gè)集成模擬放大器電路誕生；

1970年，世界第一個(gè)1KB的DRAM內存芯片問(wèn)世；

1972年，世界第一個(gè)CMOS electronic wristwatch問(wèn)世；

1974年，世界第一個(gè)8-bit 微處理器誕生；

1982年，世界第一個(gè)32-bit微處理器誕生；

1984年，世界第一個(gè)1MB的DRAM內存芯片問(wèn)世；

1995年，世界第一個(gè)1GB的DRAM內存芯片誕生；

1995年，世界每一個(gè)集成GSM transceiver面世；

2002年，世界第一個(gè)GHz微處理器誕生；

2005年，世界第一個(gè)多核處理器面世；

……

中國贏(yíng)得這樣的殊榮，也是對中國芯片科研水平的最好證明，當然，中國此次論文收錄斬獲世界第一，背后最大的功臣當屬高校軍團，其中，澳門(mén)大學(xué)貢獻了15篇論文，清華大學(xué)貢獻了13篇文，北大貢獻了6篇，電子科大貢獻了5篇等。

過(guò)去7年，ISSCC冠軍都被美國牢牢霸占，其余國家/地區與美國的收錄論文差距顯著(zhù)，哪怕是在差距最小的2022年，美國也還是領(lǐng)先了第二名韓國28篇，而ISSCC 2023年，美國被中國一舉超越，足見(jiàn)中國為半導體攻堅付出了難以想象的努力，才取得了如此驚人的成績(jì)。

不過(guò)，雖然ISSCC 2023的論文成就來(lái)之不易，但要轉化成半導體產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)力，還有不小的距離，仍有一系列難題要攻克。

超越美國，萬(wàn)里長(cháng)征第一步！

芯片設計領(lǐng)域我們的水平一直不差，甚至部分賽道已經(jīng)是世界一流，比如超級計算機賽道，我國自研的申威CPU，再如手機賽道，華為海思自研的麒麟SoC，這些都能與同代際的國際大廠(chǎng)芯片的性能一較高下，然而遺憾的是，如任正非所言，真正阻礙我們的是，設計的先進(jìn)制程工藝芯片無(wú)法自主生產(chǎn)制造出來(lái)。

集成電路上升到國家戰略高度后，國家大基金、地方也都是各項財政補貼，都在鼓勵企業(yè)芯片研發(fā)，單企業(yè)最高重獎1000萬(wàn)，其中就特別強調了EDA工具和IP核的開(kāi)發(fā)，目前EDA工具仍被美國壟斷，IP核也要看ARM臉色（申威自研了指令集、自研了架構，但消費領(lǐng)域還是ARM主流），為了徹底不被卡脖子，這些核心本領(lǐng)最終還是要掌握在自己手里。

我們再回顧ISSCC 2023中國收錄的論文分布（內地、香港、澳門(mén)）

ISSCC的學(xué)術(shù)議題涉及模擬電路(ANA)、數字系統(DAS)、數字電路(DCT)、存儲器(MEM)、有線(xiàn)傳輸(WLN)、電源管理(PM)、模擬/數字轉換器(DC)、射頻電路(RF)、無(wú)線(xiàn)傳輸(WLS)、技術(shù)方向(TD)、影像/微機電/醫療/顯示(IMMD)和機器學(xué)習(ML)。

對照技術(shù)板塊來(lái)看，我國在存儲器和射頻領(lǐng)域成果頗豐，提交的論文占總論文比例分別高達15%和17%，電源管理（PM）也高達12%，這或許可以一定程度上解釋我們國產(chǎn)的長(cháng)江和長(cháng)鑫存儲技術(shù)發(fā)展迅速，也解釋了包括小米、OV在內的國產(chǎn)手機廠(chǎng)商，在氮化鉀超快充與電源IC芯片上的重大突破，而數字系統、數字電路、技術(shù)方向和IMMD板塊上，相對薄弱，同時(shí)也這反映了我們還有潛力待發(fā)掘。

值得一提的是，包括CPU、GPU、DSP、APU等在內的通用處理器，恰恰都屬于規模最大、結構最復雜的數字電路芯片，按通用處理器芯片可集成100多億只晶體管計算，通用處理器大致包含了30多億個(gè)與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)電路，也因此，這類(lèi)數字電路芯片又被歸類(lèi)為巨大規模集成電路，當下走進(jìn)千家萬(wàn)戶(hù)的基于A(yíng)RM核的SoC芯片同理。

當數字電路在軟件設計上趨近瓶頸時(shí)，決定CPU或SoC性能的關(guān)鍵要素，也就轉移到芯片的制程工藝上來(lái)了，目前最先進(jìn)的高端芯片制程工藝有7nm、5nm、4nm以及明年由iPhone 15系列首發(fā)搭載的3nm A17等。

而EDA開(kāi)發(fā)工具和ARM公司都遵循美國的出品管制規定之后，最先進(jìn)的制程工藝對我們鎖死，意味著(zhù)，我們即便想自主研發(fā)7nm、5nm、4nm芯片，也是巧婦難為無(wú)米之炊，好在14nm、28nm及以上等成熟（非高端）的制程工藝，我們仍然能順利進(jìn)口相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)，比如中芯國際從ASML采購的DUV光刻機。

那么方向也就明晰了，在極度依賴(lài)高端芯片的智能手機等行業(yè)，繼續從高通進(jìn)口，同時(shí)，繼續大力推動(dòng)光刻機、刻蝕機、EDA工具等設備技術(shù)工具的自主開(kāi)發(fā)；在并不十分依賴(lài)制程工藝的新能源汽車(chē)、AI物聯(lián)網(wǎng)等相關(guān)產(chǎn)業(yè)，加大力度實(shí)現我們的自給自足（自己設計芯片、自己代工、自己使用），減少進(jìn)口。

突破光刻機和EDA的自主，我們需要更多的時(shí)間和更關(guān)鍵的人才，但，最終的勝利一定會(huì )屬于我們，君不見(jiàn)：

從肖克利實(shí)驗室和仙童時(shí)期就參與行業(yè)啟蒙、并提出CMOS技術(shù)的薩支唐教授；

提出NVM存儲技術(shù)、NAND Flash核心發(fā)明人的施敏教授；

提出FinFET和FDSOI的胡正明教授（梁孟松的導師，巨佬背后的巨佬）；

入選ISSCC 50周年十大貢獻者的黃秋庭教授；

……

這些芯片泰斗級巨咖無(wú)一例外都是大陸出身，橫貫學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)的華人，在集成電路進(jìn)化史上做出了巨大的貢獻。

再有關(guān)乎芯片性能的材料，在材料科學(xué)領(lǐng)域，我國更是人才濟濟，全球頂尖的100位材料科學(xué)家中，14名都是華人，前6名中，更是5名都來(lái)自于中國科技大學(xué)的中國人。

論聰明才智，黃種人不遜于世界任何人種，當企業(yè)高校研究所的執著(zhù)研發(fā)和來(lái)自各領(lǐng)域的人才匯聚于一起時(shí)，假以時(shí)日，我們一定能真正實(shí)現半導體產(chǎn)業(yè)鏈的全自主。

加油！

參考資料：

信源綜合EET中文網(wǎng)、ISSCC官網(wǎng)、偷芯大盜羅、芯智訊、失效分析設備、畢杰等，部分圖源網(wǎng)