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11/01
2025

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精品專(zhuān)欄

5000億存儲巨頭折戟沉沙:美光在中國做的惡,比想象中更可怕


又一半導體巨頭“栽”了!

日前,因實(shí)錘存安全隱患,全球第三大存儲巨頭美光或臨被禁售的處罰,消息一出,群情激憤,熱搜指數爆表,連吃瓜群眾都拍手稱(chēng)快,這個(gè)在中國“作惡多端”的美國科技公司,終于要品嘗“鐵拳”的滋味了,那是否意味著(zhù)長(cháng)江、長(cháng)鑫等國產(chǎn)存儲廠(chǎng)商迎來(lái)了千載難逢的出頭機會(huì )了?

美光敗退中國,怨得了誰(shuí)?

五月中旬,OPPO解散哲庫令不少業(yè)內外人士嘆息,半導體產(chǎn)業(yè)鏈上空一度籠罩幾絲陰霾,沒(méi)想到,五月下旬,就迎來(lái)了一則令人振奮的消息——存儲芯片龍頭美光敗退中國市場(chǎng),或成定局!

美光此番遇挫之所以令眾網(wǎng)友拍手稱(chēng)快,大概率就是種惡因得惡果的真實(shí)寫(xiě)照:

2017年~2022年,美光通過(guò)專(zhuān)利站迫使聯(lián)電交巨額罰款和解,同時(shí)讓聯(lián)電合作伙伴福建晉華元氣大傷,一期投資了32億美元的DRAM項目無(wú)奈流產(chǎn),國產(chǎn)DRAM行業(yè)遭遇沉重打擊。


這五年,原本是晉華集成崛起乃至騰飛的絕佳機遇,卻無(wú)奈錯失,自此陷入停擺,一度瀕臨破產(chǎn)邊緣。

晉華被搞得奄奄一息,美光對我們半導體產(chǎn)業(yè)鏈卻在窮追猛打:

2022年10月,美光明確限制向中國出貨可被用于128層及以上3D NAND 、18nm及以下DRAM制造的相關(guān)設備,并且向老美告密“長(cháng)江存儲向華為供貨”,令人大為震驚。

華為巔峰時(shí)期,一己之力為美光貢獻了13%的營(yíng)收,是美光全球范圍內最大的客戶(hù)之一,沒(méi)想到華為遇挫被卡之際,美光不伸出援出就罷了,還在背后狂捅一刀。

2022年10月7日,長(cháng)江存儲和長(cháng)鑫存儲直接被納入了“未經(jīng)核實(shí)清單”,去年12月15日,長(cháng)江存儲被正式納入“實(shí)體清單”。

也因此,原本已經(jīng)通過(guò)蘋(píng)果技術(shù)認證的長(cháng)江存儲,遺憾錯失了iPhone 14系列的全球訂單!

好嘛,晉華、長(cháng)江、長(cháng)鑫,多少都是直接涉及到DRAM、NAND Flash等業(yè)務(wù),算得上你美光的直接競爭對手,那中芯國際一個(gè)Foundry,又怎么惹到你了呢?

多家媒體報道,美光曾阻止美國進(jìn)出口銀行對中芯國際提供的一筆6.5億美元的貸款,以試圖阻礙中芯國際拓展國際業(yè)務(wù),你們細品。

甚至在上個(gè)月,美光就“先知知覺(jué)”地通過(guò)游說(shuō)白宮給韓企(三星和海力士)帶話(huà)(施壓)。


……

多行不義的美光,在中國市場(chǎng)的份額連年下滑,甚至全球市場(chǎng)的營(yíng)收都受到了巨大沖擊:

2018年,中國大陸市場(chǎng),美光斬獲173.57億元美元的營(yíng)收,占其年度總營(yíng)收的58%,而到了2022財報,美光在中國內地市場(chǎng)僅實(shí)現了32.32億美元的收入,占比銳降至10.8%;

不久前公布的2023財年二季度更顯示,美光報告期內僅實(shí)現36.93億美元營(yíng)收,同比暴跌52.6%,凈虧損達23.12億元美元,堪稱(chēng)美光“史上最慘單季報?!?/p>

2022年12月,美光宣布將裁員15%,意味著(zhù)至少7200名員工將失業(yè),同時(shí)美光高管工資也將進(jìn)一步削減,2023財年的年終獎也將暫停發(fā)放;

不難預料,在中國市場(chǎng)不到11%的份額,也終持續滑落,那個(gè)昔日高高在上的美光,徹底神壇跌落了!

長(cháng)江長(cháng)鑫:仍需砥勵前行!

美光折戟中國市場(chǎng),但是長(cháng)江、長(cháng)鑫等國產(chǎn)存儲巨頭們還不能高興太早,在DRAM & NAND Flash江湖,我們是機遇與風(fēng)險并存,仍然面臨著(zhù)一系列不確定性的挑戰,哪怕最終走了一個(gè)美光,還有更強的三星、SK海力士在遙望。

美光從中國的戰略撤退,早有征兆,目前僅余西安的一座工廠(chǎng)和一支銷(xiāo)售團隊,其位于上海的研發(fā)中心基本都裁光了,2023年2月15日,美光上海和西安正式裁員,現場(chǎng)通知完立馬走人,延續了其全球市場(chǎng)“10分鐘裁員”的高效紀錄,不過(guò)有媒體報道,美光似乎給出了N+3的補償,甚至還有一筆0.5~1N不等的譴散費,所以鮮有被裁員工鬧事的。

好嘛,你裁員也好、解散在上海的研發(fā)團隊也罷,都是你企業(yè)的權利,無(wú)可厚非,但是據媒體報道,你美光不僅解散了上海的內存設計團隊,還推動(dòng)40多名核心技術(shù)工程師移民美國,這是連一個(gè)人才都不給中國留???吃相未必太難看了。


2023年4月,美光在印度投資10億美元,建立了一座IC封裝測試工廠(chǎng);同年5月,美光又計劃未來(lái)數年在日本投資37億美元,并利用ASML最先進(jìn)的EUV在廣島建廠(chǎng)生產(chǎn)1-gamma節點(diǎn)的DRAM芯片,并且作為唯一總部在美國本土的公司,美光還計劃在紐約投資150億美元建設超級大廠(chǎng),美光戰略重心轉移到美、日本和印度已是不爭的事實(shí)。

那美光吐出來(lái)的11%左右的中國市場(chǎng),誰(shuí)最有機會(huì )分大頭呢?

從2022年全球DRAM和NAND Flash市場(chǎng)份額來(lái)看,三星、SK海力士和美光仍然無(wú)懸念包攬前三,三者總份額達81.9%,鎧俠排名第四,西部數據排名第五,中國所有存儲廠(chǎng)商的份額之和被囊括進(jìn)了4.6%中。


也就是說(shuō)雖然我們有長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫等優(yōu)秀的國產(chǎn)品牌,但是總的份額來(lái)看,目前仍然是others,份額之和都不到三星海力士美光的零頭。

不同于NAND Flash,對技術(shù)含量要求更苛刻的DRAM芯片領(lǐng)域,合肥長(cháng)鑫存儲可以說(shuō)是承包了空白,是目前中國大陸唯一能自主專(zhuān)利生產(chǎn)DRAM的廠(chǎng)商(晉華的專(zhuān)利之殤不會(huì )在長(cháng)鑫身上重演),并且長(cháng)鑫成了全球第四家采用20nm以下工藝的廠(chǎng)商。


制圖:前瞻研究院

三星在2020年上半年完成首批10nm制程DRAM的出貨,美光和SK海力士在2021年完成了10nm DRAM的量產(chǎn),長(cháng)江存儲基于對原收購的奇夢(mèng)達DRAM專(zhuān)利進(jìn)行了重新架構設計,耗資25億美元,最終實(shí)現了19nm 工藝的DDR4(電腦用)和LPDDR4(中低端手機等便攜終端可用) DRAM量產(chǎn),已是重大突破,但是仍處在16nm~19nm的1Xnm階段,目前TOP 5存儲巨頭已經(jīng)到了10nm以下工藝階段的PK賽,距離TOP 5尚有3~5年左右的代際差的長(cháng)鑫,仍需努力追趕。

分析到這里,基本也就有了清晰的答案了

美光吐出的蛋糕,在DRAM領(lǐng)域的話(huà),國產(chǎn)唯一實(shí)力吃的長(cháng)鑫存儲也僅能吃到一些DDR3、DDR4的份額,無(wú)緣DDR5、LPDDR5蛋粒,但好在,中低端的PC、手機等產(chǎn)品也有一定的存量空間(DDR4、LPDDR4/X也夠用),以及對內存性能要求遠不如手機夸張的車(chē)規市場(chǎng)(DDR3、LPDDR3完全夠用),趁著(zhù)新能源和AI的雙風(fēng)口,長(cháng)鑫沒(méi)準也能大賺一波。


長(cháng)鑫發(fā)明專(zhuān)利申請量,天眼查

而NAND Flash市場(chǎng),長(cháng)江存儲基本就能大顯身手了,據大V@機海風(fēng)云報道,早在去年12月份,長(cháng)江存儲就搞定了232L 3D NAND Flash產(chǎn)品X3-9070的量產(chǎn),并且首發(fā)搭載在??低暤腃C700 2TB SSD上面,且現貨開(kāi)售。


長(cháng)江存儲的X3-9730閃存顆粒是基于Xtacking架構開(kāi)出來(lái)的,而Xtacking是長(cháng)江存儲的原創(chuàng )技術(shù),于2018年8月在美國FMS首發(fā),它有別于美光、三星和SK海力士們將外圍電路放到存儲單元下方的技術(shù)邏輯,而是破天荒地將存儲陣列和外圍電路分開(kāi)放到兩個(gè)晶圓上加工處理,再垂直互聯(lián)通道鍵合和接通電路。

這樣一來(lái)的好處是,首先能確保外圍電路(讀寫(xiě)單元)使用較先進(jìn)的制程工藝以提升芯片性能,同時(shí)能保障存儲單元繼續使用穩定性最好的20nm制程節點(diǎn),也就是說(shuō)既沒(méi)有存儲數據丟失的擔憂(yōu),也沒(méi)有讀寫(xiě)速度跟不上的煩惱,長(cháng)江存儲的這一技術(shù)可以說(shuō)相當具有遠見(jiàn)了。

而反映到開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)流程上,還有一個(gè)顯而易見(jiàn)的好處:

存儲單元和讀寫(xiě)單元可以分開(kāi)設計,這樣整體的產(chǎn)品研發(fā)周期能至少縮短3個(gè)月,生產(chǎn)周期也能縮短20%,這就是為何最終X3-9070成了零售市場(chǎng)首個(gè)面市的232層閃存芯片的秘密。


這波意義非凡,意味著(zhù),在NAND閃存市場(chǎng),國產(chǎn)品牌長(cháng)存,已經(jīng)憑實(shí)力走在了三星、美光和SK海力士這三巨的前面,成為全球第一個(gè)搞定232L量產(chǎn)并進(jìn)入零售的廠(chǎng)商(三星美光等計劃表中量產(chǎn)時(shí)間早于長(cháng)存,但卻種種原因遲遲未進(jìn)入零售,足以說(shuō)明長(cháng)存效率驚人)。

在DRAM市場(chǎng),目前我們語(yǔ)語(yǔ)權和產(chǎn)品力相對薄弱一些,但合肥長(cháng)鑫已在努力提升進(jìn)度了,而且在如此高技術(shù)壁壘的市場(chǎng),合肥長(cháng)鑫能自主搞定DDR4、LPDDR4/X,且中芯國際完全可以代工,這已是重大的勝利!



在NAND Flash市場(chǎng),武漢長(cháng)江存儲表現如此威猛,著(zhù)實(shí)驚艷了一把,居然在部分產(chǎn)品和最先進(jìn)的技術(shù)制程上反超了三星、美光和SK海力士等巨無(wú)霸,你敢想?但就是做到了,而且華為高端機Mate 40就曾經(jīng)搭載過(guò),說(shuō)明不僅對于高端PC還是高端智能機市場(chǎng),NAND這塊,我們可以自主供應高端閃存了,車(chē)規市場(chǎng)更是不在話(huà)下了。

唯一的變量,就是老美的“實(shí)體清單”伎倆會(huì )否濫用了,目前來(lái)看,一旦長(cháng)鑫和長(cháng)江份額取得突破,它們必然會(huì )炮制各種莫須有的理由,把這二者納入List,也即仍存在被卡脖子的風(fēng)險!

長(cháng)鑫和長(cháng)江雖然技術(shù)專(zhuān)利上自給自足,但是芯片生產(chǎn)制造環(huán)節,還依賴(lài)于含歐美技術(shù)的半導體設備/技術(shù)方案等,雖然16nm~20nm制程中芯國際能代工,但中芯國際代工的機器也是ASML的DUV,而且你要想跟三星、SK海力士和美光、鎧俠等巨頭競爭,你的工藝制程還得不停往10nm以下下探,14nm開(kāi)始中芯國際直接被老美給封死了,128L以上的閃存芯片半導體設備,又被老美給封死了,像《三體》智子封鎖地球科技一樣,直接卡住了長(cháng)鑫和長(cháng)存的技術(shù)上限&產(chǎn)能,不得不說(shuō),這一招,太狠了。

當然,困難一定不會(huì )是長(cháng)遠的,我們終能找到解決的方案!

假以時(shí)日!長(cháng)鑫、長(cháng)江在內的優(yōu)秀國產(chǎn)存儲大廠(chǎng)們,不僅能夠吃到美光吐出的肉,而且有實(shí)力跟三星、SK海力士和美光、鎧俠等存儲巨頭繼續在全球市場(chǎng)PK,未來(lái)只會(huì )吃到更多的肉,我相信,沖出other,只是時(shí)間早晚!


參考資料:

信源綜合上游新聞、STV新聞坊、投資者網(wǎng)、互聯(lián)網(wǎng)那些事、芯光社、天眼查等,部分圖源網(wǎng)


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